上风示(C)VTC过程不同阶段的分子几何结构和能量分布图。电投大连电项(B)通过VTC方法制备g-CN薄膜的生长过程。在Adv.Mater.、上风示Adv.Sci.、NanoToday等期刊发表论文30余篇,申请/授权国家发明专利9件。
图二、电投大连电项2Dg-CN薄膜的晶圆级生长(A)在石英、FTO玻璃和硅片基底上生长的g-CN薄膜的光学照片。上风示近年来一直在从事宽禁带半导体光电材料与器件研究。
图三、电投大连电项g-CN薄膜的表征(A)不同厚度g-CN薄膜的照片和相应的AFM图像。
虽然通过对此类粉末进行超声后处理后,上风示再利用滴涂或旋涂法可获得g-CN纳米片,上风示但是不可避免的高表面粗糙度和界面缺陷难以满足g-CN基光电器件对大面积均匀性材料的要求。一般龙猫的价格受很多因素影响,电投大连电项最主要的是毛色。
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